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XM5021R18电源管理IC赛芯微代理

更新时间:2025-09-26      点击次数:21

主要参数:针对磷酸铁锂电芯,充电电压3.6V,充电电流可达900mA,耐压30V,OVP=6.8V,采用ESOP8封装。 概述 XC3098VYP是一款完整的恒流恒压线性充电芯片。 r f 或单节锂离子电池。其 ESOP 8 封装和低外部元件数量使 XC3098VYP 非常适合便携式应用。此外,XC3098VYP 专门设计用于在 USB 电源规格范围内工作。需要一个外部检测电阻,并且由于内部 MOSFET 架构而无需阻塞二极管。充电电压固定为 3.6V,充电电流可通过单个电阻器进行外部编程。当达到浮动电压后充电电流降至编程值的 1/10 时,XC3098VYP 自动终止充电周期。当输入电源(墙上适配器或 USB 电源)被移除时,XC3098VYP 系列自动进入低电流状态,将电池漏电流降至 2uA 以下。线圈一体型micro DC/DC转换器。XM5021R18电源管理IC赛芯微代理

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XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压,并且可使用可外扩MOS型,使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端,可控制变换器的工作状态,可使它处于关断省电状态,功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率:87%l低纹波,低噪声。丝印:E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXB3153IS电源管理IC磷酸铁锂充电管理锂电转干电池充放电管理芯片。

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2sA1、3PB3、3PC3、N802BT、3R0H18、0K18、XB6706U0z、XB6706U1F、XB6706U1m、XB6706U3P、XB6706U3R、6096J9X、6096J9c、6096J9j、6096J9j、6096J9r、6096J9m、6096J9o、6096J9r、6096J9t、XS5309C3a、3m1FAB、3e1EAB、2m1EAB、2e1EAB、2m1EAB、2V1EAE、2L1EAE、3T1FAA、2Z1EA、L3e1EA、B9u27、2n2DV、2f1Da、2g1Da、2g2Da、2g3Da、2g4Da、2g5Da、2g7Da、2rA1、2sA1、3fAF、3mBF、0H18、0K18、3KAOC、XS5309C3a、XBaaA3n1、AL313、5891A3L1、3A6B5、3HAPB、3P1Ha

赛芯微XBL6015-SM二合一锂电保护,集成MOS,支持船运模式,关机电流低至1nA。 XB6015-SM的特点: 1.低功耗,工作电流0.4uA,关机电流1nA; 2.更贴近应用的保护电流,充电过流300mA,放电过流150mA,短路电路450mA; 3.高集成度,集成MOS,支持船运模式,集成虚焊保护功能; 4.高可靠性,支持充电器反接功能,支持带负载电芯防反接功能,ESD 8KV; 5.更好的匹配性,锂电保护无管压降,可以支持不同类型的充电芯片; 6.系列化,支持4.2-4.5V的电芯平台。助听器集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片XF5131。

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是一款集成降压变化器,锂电池充电管理,电池电量指示的多功能电源管理SOC,为USB充干电池提供完整的电源解决方案。 XS5301 XS5306 XS5502充电电流和充电电压可调,支持多种规格锂电池应用,充电电流1A.ZCC5600充电电压和电流根据锂电池温度自动调节,更加安全可靠。放电输出1.5V固定电压,高效率高达93%.待机电流低至3uA以内,支持锂电池长时间待机。·充电电流和充电电压外部电阻调节 支持4.2/4.3/4.35/4.4V锂电池充电充电电流400mA-1000mA可调芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。XC3108RD电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动

线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。XM5021R18电源管理IC赛芯微代理

低压差线性稳压器原理上与一般的线性直流稳压器基本相同,区别在于低压差稳压器输出端的功率由NPN晶体管共集极架构改为PNP集电极开路架构(以使用双极性晶体管以言)。这种架构下,功率晶体管的控制极只要利用对地的电压差就能让晶体管处于饱和导通状态,因此输入端只需高出输出端多于功率晶体管的饱和电压,稳压器就能运作,稳定输出电压。 这类设计在保持稳定性方设计难度较高,因为输出级的阻抗较大,较易不稳定或起振。 低压差稳压器所使用的功率晶体管可以是双极性晶体管或场效晶体管。 双极性晶体管因为基极电流的关系,会耗用额外的电流,增加功耗,在相对高输出电压、低输出电流、低输出输入电压差的情况下尤其明显。 场效晶体管没有双极性晶体管的功耗问题,但其所需导通的闸极电压限制了其在低输出电低的应用,而且场效晶体管管的成本较高。随着半导体技术的进步,这两方面的问题都得以改善。XM5021R18电源管理IC赛芯微代理

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